2012年英特尔推出FinFET技术后，这次把晶体管架构推进到了一个新的阶段。全环绕栅极技术从四个方向把电流通道包裹起来，不仅让导通电流变大、开关速度变快，不管在高压还是低压环境下，晶体管的响应速度都有了显著飞跃。同时，这种纵向堆叠的设计让芯片面积不变的情况下能容纳更多晶体管，直接带来性能的提升。栅极宽度还能灵活调节，这让产品设计能在性能和功耗之间找到最优平衡。而背面供电架构解决了供电电路和信号电路挤在晶圆正面的问题。把供电电路迁移到背面后，电压损耗降低了，供电效率大幅提升。晶圆正面专注于信号传输，线路空间更充裕，信号传输也变得更纯净高效。两项颠覆性技术结合起来，性能显著提升，晶体管密度更是提高了超30%。 这次英特尔在3月12日把第三代酷睿Ultra处理器给拿出来了，是为了应对AI PC时代带来的挑战。英特尔副总裁兼中国区软件工程和客户端产品事业部总经理高嵩在上海的发布会上表示，站在2026年这个节点上，行业正处于关键转折点。产品迭代日新月异，技术发展也一日千里。中国市场拥有敏锐的消费群体、多元的应用场景和勇于创新的产业生态，每次技术革命都能在这里被快速检验和落地。 英特尔推出这款处理器是为了重新定义行业性能与能效的标杆。它的核心是18A制程工艺，把计算机行业带入了一个全新的时代。支撑这个制程工艺的就是全环绕栅极技术与背面供电架构这两项关键创新。这两项技术的结合让这款处理器成为全球首款深度融合这两种架构的产品。英特尔不仅需要顶尖的制程工艺加持，也需要卓越的架构设计支撑。只有制程与架构深度协同才能释放技术的全部潜力。