英特尔正在和软银子公司SAIMEMORY联手搞事儿，准备把一种叫Z角度存储的技术带上市。这种ZAM其实是一种很高级的DRAM，主要是把内存模块给垂直堆叠起来。虽然这种芯片至少得等个三五年才能面世，但它们最后可能会取代现在因为AI火起来而变得很紧俏的高带宽存储，也就是HBM。现在内存带宽可是AI运行的一大瓶颈，数据块越搬越大，搞得内存和GPU之间的传输压力特别大。像英伟达还有AMD这些公司，为了缓解这个问题，就在自家的GPU芯片上塞进去好几百GB的HBM。不过这需求涨得太猛，直接把全球的NAND给挤兑得供不应求，不但把RAM模块和NVMe存储的价格给推上去了，还弄出了供应链短缺。 ZAM这个技术要是成功了，估计能把DRAM的玩法给彻底改了。它跟HBM有点像，也是沿着Z轴垂直堆叠（所以才叫Z角度）。不过它夸下海口说，能在能耗更低、成本更省的情况下，做到HBM容量的两到三倍甚至更多带宽。 英特尔跟SAIMEMORY签的协议是要两家一起利用英特尔为下一代DRAM搞出来的键合（NGDB）计划里的技术和经验。这个NGDB是美国能源部和国家核安全管理局牵头搞的先进存储技术（AMT）项目里的一部分。大家凑在一起搞新东西，不光是ZAM、HBM和计算快速链路（CXL），还有那种不丢数据的磁阻随机存储器（MRAM）。 这个计划现在已经搞了三年了。头两年主要是在研发上发力，第三年就把重心转成了产品化。桑迪亚国家实验室前段时间还特意发了个动态，说他们在采用一种“创新堆叠方法”上有了新进展。具体来说就是用了一种特别的“通孔合一”构造，把八个存储晶圆给垂直键合到了基础晶圆上。 英特尔政府技术首席技术官Joshua Fryman在听了这个消息之后评价说：“这个计划展示了一种很新的存储架构和革命性的组装方法，大大提升了性能，也省了不少电，还把成本给压下去了。”他还表示：“以前那种老办法满足不了AI的要求，所以NGDB就定义了一种全新的路子，好帮我们赶紧跨出下一个十年。” 桑迪亚实验室的技术首席成员Gwen Voskuilen也挺激动的：“英特尔这次突破真的很让人兴奋。我预计这能帮着那些现在因为容量和功耗限制用不上高速内存的系统把带宽给跑起来。”她补充道：“这次演示证明了这个技术既能搞出高性能存储器又能大规模生产。” 软银那边据说准备投差不多30亿日元（大概折合1900万美元）给SAIMEMORY来一起做这个ZAM。听说SAIMEMORY的计划是在2027年造出个原型出来，到2029年就把它给商业化。要是这时间点卡得准，肯定能给下一代AI系统推一把。不过这对于缓解现在因为HBM太抢手导致的供应链紧张还不够快，这种局面估计还得熬好几年。 另外这个ZAM项目还挺能拉动美日两国的战略关系的。上周DOE的副科学部长Dario Gil去日本大阪参加SCA/HPCAsia 2026会议的时候特意去见了阿贡国家实验室、英伟达、理研还有富士通这些伙伴。Gil是负责美国创世纪计划的，这是个用AI来加速科学发现和工程进步的项目。开发像ZAM这样的新技术去替代或者增强现有的HBM技术，跟Genesis Mission的目标完全是对上号的。