听说了没，三星这回可是要下大本钱了，计划把 HBM4 的产能比例直接拉高到 50% 以上！3 月 18 日，韩国《朝鲜日报》给咱们爆料了。就在全球 AI 芯片市场闹得沸沸扬扬的时候，三星电子正忙着巩固自家在高带宽内存（HBM）这块的江湖地位。 三星存储开发部的执行副总裁黄相俊（Hwang Sang-jun），在英伟达 GTC 2026 大会上大出风头，不仅给咱们揭开了三星最新的 HBM 量产进度，还画了张未来技术的大蓝图。黄相俊说，现在的 HBM 产能提升速度简直像爬陡坡一样快，生产上也没遇到啥大坎儿，他发誓要全力给英伟达这类核心客户的 AI 芯片发布保驾护航。 至于以后咋弄，黄相俊透露了个大战略：公司以后要让 HBM4 这款最新的产品，在咱们生产的全部 HBM 里面占一半以上！面对现在可能会出现的供应紧张局面，三星也不是坐以待毙的主儿。他们决定把优质产能和资源全给那些高端好货，从大局上看这才是正道。同时，合作伙伴和普通客户必须得分开对待，按需分配产品数量，这可是在这种市场环境下不得不做的动作。 黄相俊在大会上还宣布了个好消息：咱们的第六代 HBM，也就是 HBM4 已经开始批量生产啦！它的基础 Die 用的是 4nm 工艺（三星给英伟达代工的 Gorq 3 LPU 芯片也是用的这招）。而核心的 DRAM 芯片采用的是 10nm 级别、第六代的 1c 工艺技术。这芯片速度快得很，单引脚能跑到 11.7 Gbps，比一般的 8 Gbps 强多了，甚至还能飙到 13 Gbps。 至于下一代的升级版——HBM4E，它的基础 Die 还是用 4nm 工艺。不过以后的 HBM5 和 HBM5E 产品就不一样了，基础芯粒会全面用上自家晶圆代工更先进的 2nm 技术。核心的 DRAM 方面，HBM5 预计会用 10nm 级别的 1c（第六代）工艺，HBM5E 则打算用 1d（第七代）工艺。 黄相俊也坦言，玩这么尖端的技术确实成本高、压力大。但为了实现未来追求的高性能和新设计理念，这一步路是必须走的。为了在激烈的 AI 晶片大战里保住龙头地位，三星决定跟核心客户绑在一起。现在他们正忙着把自家 HBM 的推出周期跟英伟达 AI 芯片的上市周期对上号，以后打算“一年一上新”，持续推出新品。 三星还着重介绍了跟英伟达在人工智能工厂上的合作计划。他们打算利用加速计算和 Omniverse 技术来扩展半导体生产中的数字孪生系统。除了这一套硬核配置外，三星还展示了多款设备端的 AI 内存产品：像用在 DGX Spark 系统里的 PM9E3 和 PM9E1 NAND 闪存；还有 LPDDR5X 和 LPDDR6 这种移动 DRAM。 LPDDR5X 单引脚速度能达到 25 Gbps，效率特别高；LPDDR6 更是能飙到 35 Gbps，还把电源管理做得更强了。