记者从江苏鑫华半导体科技股份有限公司获悉，该公司计划投资20388.05万元，江苏省徐州经济技术开发区建设高纯硅材料研发基地。项目启动意味着我国在半导体关键材料领域的自主研发与能力建设更提速。半导体制造是实现高水平科技自立自强的重要支撑。作为产业链上游，电子级多晶硅等基础材料的供应保障，直接关系到产业链的稳定运行。目前，我国半导体硅材料在制造材料市场中占比约30%，为占比最高的主材料；但在高端电子特气、超高纯石英材料等细分领域，国产化率仍有提升空间。 据了解，普通工业硅纯度约为98%，而半导体制造对电子级多晶硅的纯度要求更为严苛。硼、磷等微量杂质元素即使含量极低，也可能影响硅片质量稳定性，对材料提纯工艺提出更高要求，这也是行业长期面临的瓶颈之一。 江苏鑫华此次建设的研发基地，将围绕两大方向开展技术攻关。一是电子特气提纯工艺研发。公司拟利用电子级多晶硅生产过程中的副产氯硅烷资源，通过深度提纯技术，推动高端电子特气的国产替代。二是高纯合成石英砂制备技术开发。项目将搭建从原料分析、工艺开发到产品验证的研发链条，为先进石英制品产业化提供技术支撑。 根据投资概算，项目总投资中设备购置费为11143.50万元，占比过半，显示出对研发与检测装备投入的力度。同时，研发人员薪酬投入1368万元，材料费2053.35万元，体现公司对人才与持续研发的投入安排。项目建设地点位于公司现有厂区内，不涉及新增用地，具备较快落地实施条件。 在审批上，高纯硅基类电子特气研发项目与半导体级高纯硅材料研发基地项目已分别于2025年12月和2026年2月取得徐州经济技术开发区管委会下发的投资项目备案证，环保批复预计于2026年上半年完成。公司表示，项目实施将落实污染防治措施，确保废水、废气、固体废物和噪声等经治理后达标排放。 业内专家认为，此项目具有多重意义。从产业链角度看，将推动公司业务由高纯硅材料向电子特气、高纯石英等配套关键材料延伸，形成覆盖硅基主体材料、工艺气体与核心耗材的产品体系，增强协同能力。从国家层面看，有助于提升半导体上游关键材料的自主可控水平，为产业链供应链安全提供支撑。 据悉，项目建设期为24个月。公司依托硅基高纯领域的技术积累，正推进对应的能力建设：一上提升超高阻与区熔用多晶硅的工程化水平，服务先进逻辑芯片与高端功率器件的本土化制造；另一方面加快电子特气与高纯石英材料的技术开发与产业化进程。
半导体产业的竞争不仅在芯片设计与制造，也体现在材料与工艺等基础环节。加快建设面向产业化的高纯材料研发与验证平台，稳定关键指标、完善供应体系，才能在复杂外部环境下提升自主保障能力，为产业链供应链安全与高质量发展提供更有力支撑。