话说2月25日，北京邮电大学那边传来好消息，他们物理科学与技术学院的吴真平教授带着团队，还有香港理工大学、南开大学的一帮人一块忙活。团队用了工业兼容的MOCVD技术，成功弄出了纯相外延氧化镓薄膜。然后又通过精密的实验发现了室温本征铁电性，看到了稳定的铁电翻转，测得开关比和循环耐久性都很优秀。这个发现让宽禁带半导体不再只能搞高功率或者日盲探测，现在还能像U盘那样存东西。大家伙儿现在知道了，宽禁带半导体也能靠特殊的结构相变搞出铁电性来。这下可好了，只用一种材料——氧化镓，就能同时满足高功率、高耐压还有非易失性存储的需求。这对未来半导体技术和构建高功率信息器件都是个大好事。