复旦团队揭示低维反铁磁材料可实现“整体双稳态切换”,为低功耗高速芯片提供新路径

反铁磁材料长期被视为磁性研究中的"冷门"课题。与铁磁体中磁针整齐指向同一方向不同,反铁磁材料内部的磁针方向相反,磁性相互抵消,导致传统磁场调控手段对其几乎无效。因此,这类材料实际应用中鲜有涉及。 然而,科学家们逐渐发现反铁磁材料包含着巨大的应用潜力。相比广泛应用于机械硬盘的铁磁材料,反铁磁材料特点是更高的存储密度和更快的运行速度。但要实现该潜力,必须解决一个关键难题:在保持反铁磁态的基础上,实现所有磁性层的同时整体双态切换。 复旦大学物理学系吴施伟团队自主研发了无液氦多模态磁光显微系统,结合非线性光学二次谐波技术,能够以前所未有的精度观察磁性材料的微观行为。通过这一实验平台,研究团队对层间反铁磁体硫代磷酸铬进行了深入研究,成功发现了这类材料在外磁场作用下能够实现反铁磁态的整体切换。 研究团队用"集体舞蹈"形容这一现象,说明了所有磁性层同时协调翻转。这一发现打破了反铁磁材料难以调控的传统认识。 同时,复旦大学理论物理与信息科学交叉中心袁喆团队为实验现象提供了理论支撑。研究人员通过微磁模拟精准复现了实验中观察到的两类磁切换行为,创新性地提出了Stoner-Wohlfarth反铁磁模型。该模型引入了反铁磁的"特征交换尺寸"这一判据,能够准确预测和区分不同的磁切换行为。 这一理论框架的建立意义重大。它不仅解释了当前的实验现象,更为未来科学家按需设计和搜寻具有理想翻转特性的反铁磁材料提供了理论指引。反铁磁材料的研究已经从探索阶段进入到有针对性的设计阶段。 从应用前景看,这一突破具有深远的产业意义。低功耗和高速运算是当代芯片技术发展的核心需求。传统铁磁材料虽然易于调控,但在功耗和运算速度上存在瓶颈。反铁磁材料一旦实现可控调制,将能够提供更优的性能指标,为开发新一代磁性存储芯片、自旋电子学器件以及光电子集成电路提供了全新的技术路径。 此外,这项研究还具有重要的基础科学价值。它推动了人们对低维磁性材料物理性质的深入理解,完善了经典磁学理论框架。

从基础理论的突破到产业应用的初现,这项研究诠释了原始创新的科学价值。在全球科技竞争日趋激烈的背景下,我国科研团队通过持之以恒的基础探索,正在关键材料领域实现从跟跑到领跑的跨越,为高质量发展注入强劲动能。