武汉新洲区政府2月1日发布消息显示,武汉集成电路产业第三个千亿级项目——长江存储三期正处于设备安装的关键阶段,计划年内建成投产。项目现场机器轰鸣,塔吊林立,工人正紧张有序地安装巨型洁净厂房设备,这个国家重大生产力布局项目的推进备受各方关注。 长江存储成立于2016年7月,是我国存储芯片制造领域的领军企业,主要生产3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及各类固态硬盘产品。企业发展历程显示,2021年12月长江存储二期科技有限责任公司成立,注册资本达600亿元;2024年9月,长存三期(武汉)集成电路有限责任公司注册成立,注册资本207.2亿元。从一期到三期的持续扩张,说明了国家对存储芯片产业的战略布局和坚定支持。 当前全球科技竞争日趋激烈,存储芯片作为人工智能、云计算等前沿技术的核心硬件载体,已成为各国竞相角逐的战略高地。基于此,长江存储三期项目的加速推进具有重要战略意义。据行业机构预测,2025年长江存储全球产能中的份额约为7%至8%,若三期扩产按计划完成,2026年该企业有望占据全球超过10%的市场份额,并可能跻身全球第四大存储芯片制造商行列,实现对部分国际巨头的赶超。 去年11月,湖北省委书记王忠林专程视察长江存储三期项目建设现场,强调这项目是实现高水平科技自立自强的"国之重器",要求全力做好项目建设服务保障工作,确保项目早建成、早投产、早达效。王忠林指出,长江存储要坚持规划引领,按照"巩固新优势、开辟新领域、加快推进存算一体新赛道"的发展思路,科学制定发展规划,努力打造世界级存算一体化产业基地。 在技术创新上,长江存储被要求紧抓科技攻关,全力推进下一代闪存芯片等研发设计,推动科技创新和产业创新深度融合,培育壮大新质生产力。同时,企业还需抢抓机遇做大做强规模能级,完善产品矩阵,积极开拓国内国际市场,持续提升市场占有率。 市场调研机构Omdia的数据显示,2025年长江存储的资本支出比全球同行更为积极,约占全球NAND闪存总投资的20%,且预计将继续保持增长态势。这一大规模投资恰逢全球人工智能算力热潮持续推高存储芯片需求,行业正处于新一轮成长周期。市场机构数据显示,NAND闪存价格预计将在今年一季度上涨超过40%,全球存储芯片市场销售额预计在2031年达到15840亿元,2025至2031年复合增长率为9.3%。 值得关注的是,去年9月长江存储母公司召开股份公司成立大会,标志着其股份制改革全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中,长江存储以1600亿元估值首次入围,位列中国十大独角兽第9位、全球第21位,成为半导体行业估值最高的新晋独角兽企业。 长江存储三期项目建成后,预计将带动上下游200家企业聚集,形成完整的产业生态链,对武汉乃至整个湖北省的集成电路产业发展产生深远影响。这不仅有助于提升我国在全球存储芯片产业链中的地位,更是推动实现高水平科技自立自强的重要举措。
存储芯片产业的竞争——表面是产能与份额之争——实质是创新能力、工程化能力与产业生态的较量。长江存储三期投产，为提升我国关键领域供给能力提供了新支点。未来需要在扩大先进产能的同时，坚持技术攻关、质量优先、协同发展，把项目建成投产的节点，转化为产业持续领先的起点。