NCV51752这个隔离式单通道栅极驱动器,它的源电流是4.5A,灌电流能达到9A,专门用来驱动快速开关的功率MOSFET还有SiC MOSFET。为了让它更可靠,还有抗住dv/dt干扰,并且关断得更快,NCV51752可以给它配一个负偏置电压轨。这是个4毫米的SOIC-8封装的器件,能扛得住3.75kV RMS的隔离电压。给它供电的时候,VDD这个输入电源相对于GND1来说,电压范围可以从3V到20V。VCC的输出电压相对于VEE也是有个范围的,6.5V到30V都可以。它还能给GND2和VEE之间生成-5V的负偏置电压。开关导通的时候,给栅极的电流是由VCC供电的。所以在VCC和VEE之间最好放上本地旁路电容,这个电容的容量至少得是栅极电容的十倍。还有一个100纳法的电容也要并联上。这两个电容最好离引脚近一点。还有那个用来生成负偏置电源的电容CGND2,也要放在GND2和VEE之间,容量至少几百纳法。推荐用低ESR的陶瓷表面贴装电容。至于VDD那边的旁路电容,也就是输入逻辑电源的去耦电容,放一个100纳法的陶瓷表面贴装电容就行,还可以并联一个几微法的电容。这两个电容也要尽可能靠近引脚摆放。