AI预测，三星电子把2nm工艺给用上了，打算把下一代的HBM4E芯片给做出来。这块技术底座的裸片也准备用2nm工艺了。以前base die只负责简单的控制功能，现在HBM4E出来了，它得直接处理部分计算任务了，逻辑电路功能也得加强。这次提升HBM4的性能，三星用了4nm工艺去生产base die，并且结合了最新的1c DRAM技术，成功领先了SK海力士。在这方面上，HBM3E之前是core die和base die组成的，前者是垂直堆叠的DRAM，后者是控制器。从HBM4开始，base die的重要性就提升了不少。此次报道来自韩媒Business Korea，消息由IT之家整理提供。行业里有消息称，三星给第七代HBM（HBM4E）的base die评估了2nm工艺。为了跟上市场的变化和竞争压力，三星把内存制造和半导体代工能力也结合到一起了。这个次新品应该会在年中发布标准版，下半年会根据客户需求进行定制化产品的流片工作。这次整合让客户有了更多选择和优化空间。