全球半导体产业正处于新旧技术更迭的关键阶段。第三代半导体虽已进入规模化应用——但性能瓶颈逐步显现——成本压力依然突出。基于此，以氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料加速走到台前，被业内视为下一代重要技术方向。北京市未来产业育新平台的设立，旨面向该前沿领域发力，推动关键技术更快实现产业化落地。北京铭镓半导体有限公司此次获评“超宽禁带半导体育新平台”，表明了我国在该领域的最新进展。该公司于2025年初成功制备4英吋（010）氧化镓晶坯，为全球首次实现，标志着我国在超宽禁带半导体材料上有所突破。相较第三代半导体材料碳化硅，氧化镓生产成本约为其三分之一，同时具备耐超高压、耐高温、大功率和抗辐照等特性，在综合性价比上优势明显。晶坯尺寸的提升具有直接的产业价值。晶坯越大，可制造的器件芯片数量越多，单位成本随之下降，这也是推动氧化镓材料商业化应用的关键一步。铭镓半导体董事长陈政委表示，企业生产的半绝缘型氧化镓衬底尺寸已领先国际同类产品标准，为开发更低成本、更高性能的氧化镓器件奠定了基础。该进展有望深入降低新能源汽车、智能电网、航空航天等下游领域的器件与系统成本，带动有关产业加速升级。此次获评平台并非单一企业的独立突破，而是以系统化方式构建产业生态。在顺义区经信局组织下，平台采用“三维育新”模式：由铭镓半导体作为龙头提供核心材料技术牵引，联合创元成业等骨干企业攻关中试转化，由创挚益联专业平台提供全链条服务。该模式打通了从实验室样品到市场化产品的关键环节，提升了科技成果转化效率。顺义区也为平台建设提供了配套支撑。科创集团在铭镓半导体扩建氧化镓加工线及结晶室期间，腾退989平方米厂房，满足企业扩产需求。近年来，顺义区重点布局第三代及以上先进半导体产业集群，出台专项扶持政策，在研发流片、重大成果落地、人才引进等提供支持，形成政策与企业发展协同发力的格局。从应用前景看，超宽禁带半导体市场空间广阔。在新能源汽车领域，氧化镓器件可提升电源转换效率、降低能耗；在智能电网领域，其耐高压特性有助于提升电力传输效率；在航空航天领域，其抗辐照能力可满足极端环境需求。随着技术成熟度提升与成本进一步下降，相关应用有望加快走向规模化落地。
未来产业竞争，既看“单点突破”，也看“体系能力”。顺义市级超宽禁带半导体育新平台落地，反映了以平台化、生态化方式推动前沿技术产业化的探索。把创新链、产业链、资金链、人才链更紧密衔接起来，才能推动关键材料从实验室走向生产线、从技术概念走向实际应用，为高质量发展释放更具韧性、更可持续的增长动能。