据韩国媒体报道，三星电子正在拆除位于器兴园区的SR5先进研究中心，并计划在原址建设新的尖端半导体研发设施；此调整意味着告别一座“功勋”建筑，同时也是面向下一代工艺研发的布局。SR5研究中心始建于1987年，处于三星集团创始人李秉喆执掌时期。该中心地下一层、地上七层，总建筑面积7.85万平方米，长期承担三星关键研发任务，在其半导体发展史上占据重要位置。1992年，三星研发团队在这里成功开发出全球首款64兆位动态随机存取存储器（DRAM），这一成果推动其确立了在全球存储芯片市场的领先优势。此后数十年间，除半导体研发外，三星的生物技术与显示技术部门也曾在该中心开展业务。
从64Mb DRAM的突破到1nm工艺的冲刺，三星器兴园区的变化折射出半导体产业数十年的技术跃迁。在摩尔定律增速放缓的背景下——拆除与重建不仅是空间更新——更是一次围绕创新与延续的再布局。新研发中心能否继续产出关键突破，也可能影响下一阶段芯片竞争的走向。