北京大学成功研制1纳米铁电晶体管 突破传统半导体物理极限

在全球半导体产业同时面临物理极限逼近与技术封锁的背景下,北京大学集成电路学院联合多个国家重点实验室,历时五年完成关键攻关,实现了铁电材料在原子尺度上的精准调控。研究团队创新引入二维层状材料作为栅介质,缓解了传统硅基晶体管在3纳米以下工艺中突出的量子隧穿问题,使晶体管在1纳米尺度仍能保持稳定工作。

从“追求更小”转向“追求更优能效与更高密度”,已成为半导体技术演进的必然方向。1纳米栅长铁电晶体管的探索性突破表明——即使在逼近极限的赛道上——仍然存在可供开拓的创新空间。将论文成果转化为产业能力,考验的不只是单点突破,更依赖体系化协同与持续投入。坚持基础研究与产业转化并重、打通创新链与产业链衔接,才能让前沿成果更快形成面向高质量发展的现实支撑。