2020年，A-pro从美国Veeco引进了8英寸MOCVD，韩国的第一条量产级GaN外延线也就此落地。到了2021年，A-pro又跟新加坡的IGSS GaN成立了合资公司，大家一起开发650V E-MODE GaN晶体管。到了2023年6月，A-pro的650V高压GaN元件良率达标并顺利量产，还顺便推出了低压版本，产品线一下子就把从工业电源到车载适配器的全场景都给覆盖了。 东部高科一直把GaN和SiC功率半导体当作自己的下一代增长引擎。他们的规划挺清晰：在SiC赛道上，打算新建8英寸SiC产线，目标是2025年给整车厂批量供货1200V SiC MOSFET；现在的6英寸线已经在试产了。至于GaN赛道，年初东部高科就宣布要启动硅基8英寸GaN元件的试制，这是想用硅基异质结来降低制程复杂度、增加晶圆厂的赚钱空间。 就在9月22日这天，东部高科和A-pro正式签了商业协议。A-pro负责提供稳定的8英寸GaN外延片，而东部高科则开放自家8英寸晶圆厂的设备和工艺平台，负责完成后续光刻、刻蚀、封装这些关键步骤。这样一来，A-pro相当于拿到了一张长期饭票；东部高科也不用花大钱投MOCVD设备了，就能迅速补齐第三代半导体的产能短板。 根据双方的谅解备忘录，这次合作从2022年一直持续到2024年。双方的核心任务是把实验室里的外延片变成能大规模生产的功率器件。这次合作的最大好处就是把外延片验证、核心工艺开发、晶圆制造和封装测试都压缩到了同一供应链里。原本需要3到5年的开发周期被预计缩短到了两年左右。一旦8英寸GaN器件实现了规模化量产，韩国本土就能在车载逆变器、充电桩还有光伏并网这些高增速的市场里拥有更强的议价权和供应链掌控力。 这就是东部高科（DB Hitech）与韩国半导体公司A-pro Semicon的签约速览，还有双方的互补布局、A-pro的“8英寸年表”、东部高科的“双轮驱动”协同展望以及缩短工艺周期加速商业化落地的故事。