问题——关键耗材长期受制于人与快速扩产需求并存。 化学机械抛光（CMP）是晶圆制造实现多层结构平坦化的重要环节，直接影响后续光刻、沉积与良率水平。CMP过程涉及抛光液、抛光垫、清洗液等多类材料——其中抛光液消耗占比较高——是晶圆厂稳定量产的核心保障之一。长期以来，高端配方与稳定供货能力主要集中海外企业手中，叠加半导体产业链外部不确定性上升，国内晶圆厂在“持续扩产”与“材料可控”之间面临双重压力。 原因——产能扩张与工艺复杂度提升共同推升市场。 一上，我国是全球重要的半导体消费市场，也是近年晶圆产能扩张较为集中的区域。以逻辑代工、特色工艺与存储产线建设为代表的新建与扩建项目，带来对上游耗材的刚性增量。业内测算显示，我国CMP抛光液市场规模从2021年的约22.3亿元增长至2025年的约57.3亿元，复合增速约26.5%，体现出国内市场对全球需求增长的突出贡献。 另一方面，CMP抛光液并非“通用化学品”。其配方由磨料、添加剂与超纯水等复配形成，适配材料体系与工艺窗口差异显著，全球活跃配方已达数百种。不同工艺步骤对应不同产品类型，包括铜及铜阻挡层、钨、介质层、浅槽隔离以及面向新材料新工艺的专用抛光液等。其中，铜及铜阻挡层对应的产品整体市场中占比最高，是竞争最为集中的板块。这种“高定制、强验证、长周期”的特点，决定了抛光液行业在需求扩张的同时，也更依赖工艺协同与客户验证平台。 影响——国产化率提升加快，竞争格局重塑。 随着国内晶圆厂产能上量与验证资源增多，本土供应商迎来更广阔的试用、导入与迭代空间。行业信息显示，我国CMP抛光液国产化率已由早期不足两成提升至约三分之一左右；在28纳米及以上成熟制程领域，部分产品渗透率已超过一半，国内企业在交付稳定性、成本响应与现场支持上的优势逐步显现。市场格局也由过去高度依赖海外供应，转向以头部企业带动、多家企业分工突破的态势：一方面，头部厂商关键品类上率先实现规模化供货；另一上，细分材料与新配方研发加速推进，产业链协同更为紧密。 对策——从“替代供货”转向“体系化能力建设”。 业内人士认为，下一阶段竞争焦点将从供给数量转向综合能力： 其一，强化基础研发与工艺协同。围绕磨料分散、缺陷控制、腐蚀选择性、金属离子污染控制等关键指标，提升配方设计与稳定量产能力，并与晶圆厂共同建立更高效率的验证机制。 其二，完善质量与供应体系。抛光液对超纯水、关键化学品、过滤与洁净灌装等环节要求极高，应推动原材料与设备环节协同，提升批次一致性与可追溯能力。 其三，推动标准与人才支撑。围绕检测方法、失效分析与安全合规等，形成更具可操作性的行业规范，同时加强复合型人才培养与跨学科团队建设。 前景——由规模驱动迈向技术牵引，先进节点仍是“必答题”。 展望未来，国内CMP抛光液需求仍将随晶圆产线爬坡与多品类工艺扩展保持增长，但更关键的变量在于先进制程与新材料导入带来的门槛抬升。随着器件结构更复杂、材料体系更丰富，抛光液需要在更窄工艺窗口内同时满足低缺陷、低划伤与高去除均匀性等要求。可以预期，能够在先进节点实现稳定量产供货、并形成快速迭代能力的企业，将在新一轮竞争中占据主动。
CMP抛光液产业的突围之路，是我国半导体材料自主创新的生动缩影。在全球科技竞争日趋激烈的当下，只有持续强化关键核心技术攻关，才能筑牢产业链安全防线。这条从跟跑到并跑的奋进轨迹，不仅为其他领域国产化替代提供了宝贵经验，更彰显出中国制造向产业链高端迈进的坚定决心。